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| 品种名称 | 化学式 | 纯度（%） | 充装容器（L） | 充装量（Kg） |
| 氯化氢 | HCl | 99.995 | 49、44、16 | 31.7、27.2、9.1 |
| 99.9995 | ||||
| 氧化亚氮 | N2O | 99.97 | 44、16、8 | 27.2、9.0、4.5 |
| 99.9998 |
参杂混合气
| 类型 | 组分气 | 稀释气 | 备注 |
| 硼化合物 磷化合物 砷化合物 |
乙硼烷（B2H6）、三氯化硼（BCl3）、溴化硼（BBr3) 磷烷（PH3）、氯化磷（PCl3）、溴化磷（PBr3） 砷烷（ASH3）、三氯化砷（ASCl3） |
氦、氩、氢 氦、氩、氢 氦、氩、氢 |
具有P形性质 具有N形性质 |
外延混合气
| 序号 | 组分气体 | 稀释气体 |
| 1. 2. 3. 4. |
硅烷（SiH4） 氯硅烷（SiCl4） 二氯二氢硅（SiH2C12） 乙硅烷（Si2H6） |
氦、氩、氢、氮 氦、氩、氢、氮 氦、氩、氢、氮 氦、氩、氢、氮 |
蚀刻混合气
| 材质 | 蚀刻气体 |
| 铝（Al） 铬（Cr） 钼（Mo） 铂（Pr） 聚硅 硅（Si） 钨（W） |
氯硅烷（SiCl4）+四氯化碳（CCl4）+（氩、氮） 四氯化碳（CCl4）+氧、四氯化碳（CCl4）+空气 二氟二氯化碳（CCl2F2）+氧、四氟化碳（CF4）+氧 三氟三氯乙烷（C2Cl3F3）+氧、四氟化碳（CF4）+氧 四氟化碳（CF4）+氧、乙烷（C2H6）+氯 四氟化碳（CF4）+氧 四氟化碳（CF4）+氧 |
CVD混合气
|
膜的种类 |
混合气组成 |
生成方法 |
|
半导体膜 |
硅烷（SiH4）+氢 |
CVD |
其他电子气
|
序号 |
组分表 |
稀释气 |
组分气含量范围 |
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1. |
氯化氢（HCl） |
氧、氮 |
1%-10% （5-5000）×10-6 1%-5% （5-5000）×10-6、0.5%-15% （5-5000）×10-6、0.5%-15% （5-5000）×10-6、1% 0.5%-15% （5-5000）×10-6 28% 22% |
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